0 0 0
  8. APT7M120B

Транзистори з каналом N THT APT7M120B

 
APT7M120B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 1166772
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
834.60 грн
2+
580.63 грн
5+
548.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
2,1Ом(1459402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
335Вт(1823188)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,06 g
 
Транзистори з каналом N THT APT7M120B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 1166772
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
834.60 грн
2+
580.63 грн
5+
548.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
2,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
335Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
80нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,06 g