Транзистори з каналом N SMD APT7M120S

 
APT7M120S
 
Артикул: 429448
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
733.66 грн
2+
505.67 грн
6+
478.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
(1441380)
Опір в стані провідності
2,1Ом(1459402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
335Вт(1823188)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT7M120S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429448
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 5А; Idm: 28А; 335Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
733.66 грн
2+
505.67 грн
6+
478.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
Опір в стані провідності
2,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
335Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
80нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g