Транзистори з каналом N THT APT8030LVFRG

 
APT8030LVFRG
 
Артикул: 429679
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 800В; 27А; Idm: 108А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 822.64 грн
2+
1 723.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
27А(1441591)
Опір в стані провідності
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
510нКл(1823208)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
108А(1758591)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT8030LVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429679
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 800В; 27А; Idm: 108А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 822.64 грн
2+
1 723.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
27А
Опір в стані провідності
0,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
510нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
108А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g