Транзистори з каналом N SMD APT8065SVRG

 
APT8065SVRG
 
Артикул: 429450
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 800В; 13А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 070.95 грн
3+
1 012.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
13А(1441372)
Опір в стані провідності
0,65Ом(1492285)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
280Вт(1740832)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
225нКл(1694855)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
52А(1789218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT8065SVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429450
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 800В; 13А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 070.95 грн
3+
1 012.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
13А
Опір в стані провідності
0,65Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
280Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
225нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
52А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g