0 0 0
  8. APT80GA90S

Транзистори IGBT SMD APT80GA90S

 
APT80GA90S
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418022
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 80А; 625Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 303.20 грн
2+
875.14 грн
4+
827.58 грн
10+
826.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
80А(1441762)
Струм колектора в імпульсі
239А(1814639)
Час ввімкнення
49нс(1694413)
Час вимкнення
320нс(1706649)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
200нКл(1479291)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT SMD APT80GA90S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418022
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 80А; 625Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 303.20 грн
2+
875.14 грн
4+
827.58 грн
10+
826.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
80А
Струм колектора в імпульсі
239А
Час ввімкнення
49нс
Час вимкнення
320нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
625Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
200нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g