0 0 0
  8. APT80GP60B2G

Транзистори IGBT THT APT80GP60B2G

 
APT80GP60B2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418106
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 100А; 1041Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 745.08 грн
2+
1 650.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
330А(1750672)
Час ввімкнення
69нс(1750823)
Час вимкнення
233нс(1709175)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
1041Вт(1814640)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
280нКл(1643353)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT80GP60B2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418106
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 100А; 1041Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 745.08 грн
2+
1 650.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
330А
Час ввімкнення
69нс
Час вимкнення
233нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
1041Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
280нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g