Транзисторні модулі MOSFET APT80M60J

 
APT80M60J
 
Артикул: 440531
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 52А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 051.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
52А(1599488)
Опір в стані провідності
55мОм(1441323)
Потужність розсіювання
960Вт(1745496)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
445А(1823261)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APT80M60J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440531
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 52А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 051.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
52А
Опір в стані провідності
55мОм
Потужність розсіювання
960Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
445А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g