0 0 0
  8. APT84F50B2

Транзистори з каналом N THT APT84F50B2

 
APT84F50B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429688
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 53А; Idm: 270А; 1135Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 794.83 грн
2+
1 697.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
53А(1479379)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1135Вт(1742093)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
340нКл(1705681)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
270А(1823209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT84F50B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429688
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 53А; Idm: 270А; 1135Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 794.83 грн
2+
1 697.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
53А
Опір в стані провідності
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1135Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
340нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
270А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g