0 0 0
  7. APT85GR120J

Модулі IGBT APT85GR120J

 
APT85GR120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425708
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 499.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
85А(1500570)
Струм колектора в імпульсі
340А(1694432)
Використання
для UPS(1471489) 3-фазні двигуни BLDC(1492838) інвертор(1612514)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) Ultra Fast NPT-IGBT®(1694426) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT85GR120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425708
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 499.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
85А
Струм колектора в імпульсі
340А
Використання
для UPS
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Використання
інвертор
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
Ultra Fast NPT-IGBT®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g