0 0 0
  8. APT85GR120L

Транзистори IGBT THT APT85GR120L

 
APT85GR120L
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418107
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 85А; 962Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 148.24 грн
3+
1 085.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
85А(1500570)
Струм колектора в імпульсі
340А(1694432)
Час ввімкнення
113нс(1694435)
Час вимкнення
445нс(1694436)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
962Вт(1742141)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,49мкКл(1950545)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT85GR120L
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418107
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 85А; 962Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 148.24 грн
3+
1 085.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
85А
Струм колектора в імпульсі
340А
Час ввімкнення
113нс
Час вимкнення
445нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
962Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,49мкКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g