0 0 0
  8. APT95GR65B2

Транзистори IGBT THT APT95GR65B2

 
APT95GR65B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418108
Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 100А; 892Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 269.36 грн
2+
870.94 грн
4+
823.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Час ввімкнення
105нс(1750821)
Час вимкнення
336нс(1750754)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
892Вт(1814641)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
312нКл(1758443)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,82 g
 
Транзистори IGBT THT APT95GR65B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418108
Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 100А; 892Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 269.36 грн
2+
870.94 грн
4+
823.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
400А
Час ввімкнення
105нс
Час вимкнення
336нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
892Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
312нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,82 g