0 0 0
  8. APT9M100B

Транзисторы с каналом N THT APT9M100B

 
APT9M100B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429696
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
534.72 грн
3+
444.14 грн
7+
419.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
335Вт(1823188)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
37А(1789196)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,05 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT9M100B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429696
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
534.72 грн
3+
444.14 грн
7+
419.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
335Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
80нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
37А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,05 g