Транзисторні модулі MOSFET APTC80H29T3G

 
APTC80H29T3G
 
Артикул: 440571
Модуль; транзистор/транзистор; 800В; 11А; SP3; Press-in PCB; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 626.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3(1694445)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Потужність розсіювання
156Вт(1741756)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SJ-MOSFET(1714492)
Напруга затвор-джерело
Топологія
місток H(1612556) термістор NTC(1612513)
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTC80H29T3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440571
Модуль; транзистор/транзистор; 800В; 11А; SP3; Press-in PCB; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 626.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP3
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Потужність розсіювання
156Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SJ-MOSFET
Топологія
місток H
Топологія
термістор NTC
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g