0 0 0
  7. APTCV60HM45BT3G

Транзисторні модулі MOSFET APTCV60HM45BT3G

 
APTCV60HM45BT3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440577
Модуль; діод/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 663.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3F(1818802)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
38А(1479331)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
CoolMOS™(1601653) Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Напруга затвор-джерело
Топологія
boost chopper(1712523) місток H(1612556) термістор NTC(1612513)
Струм стоку в імпульсі
130А(1758596)
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTCV60HM45BT3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440577
Модуль; діод/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 663.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP3F
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
38А
Опір в стані провідності
45мОм
Потужність розсіювання
250Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
CoolMOS™
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Топологія
boost chopper
Топологія
місток H
Топологія
термістор NTC
Струм стоку в імпульсі
130А
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g