0 0 0
  7. APTCV60HM45RCT3G

Транзисторні модулі MOSFET APTCV60HM45RCT3G

 
APTCV60HM45RCT3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440578
Модуль; діод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 921.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3F(1818802)
Структура напівпровідника
діод SiC/транзистор(1622294)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
38А(1479331)
Струм колектора
50А(1440988)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний MOSFET/IGBT(1827882)
Технологія
SiC(1591568) CoolMOS™(1601653) Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Напруга затвор-джерело
Топологія
місток H(1612556) термістор NTC(1612513) 1-фазовий діодний міст(1645667)
Струм стоку в імпульсі
130А(1758596)
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTCV60HM45RCT3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440578
Модуль; діод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 921.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP3F
Структура напівпровідника
діод SiC/транзистор
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
38А
Струм колектора
50А
Опір в стані провідності
45мОм
Потужність розсіювання
250Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний MOSFET/IGBT
Технологія
SiC
Технологія
CoolMOS™
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Топологія
місток H
Топологія
термістор NTC
Топологія
1-фазовий діодний міст
Струм стоку в імпульсі
130А
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g