0 0 0
  7. APTGT100TL60T3G

Модулі IGBT APTGT100TL60T3G

 
APTGT100TL60T3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268742
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
8 743.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3(1694445)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Потужність розсіювання
340Вт(1741907)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Field Stop(1814742)
Топологія
термістор NTC(1612513) 3-рівневий 1-фазовий інвертор(1645701)
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g
 
Модулі IGBT APTGT100TL60T3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268742
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
8 743.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP3
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
200А
Потужність розсіювання
340Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Field Stop
Топологія
термістор NTC
Топологія
3-рівневий 1-фазовий інвертор
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g