0 0 0
  7. APTGT150A120TG

Модулі IGBT APTGT150A120TG

 
APTGT150A120TG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268743
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
12 992.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP4(1633572)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
150А(1441771)
Струм колектора в імпульсі
350А(1750616)
Потужність розсіювання
690Вт(1742088)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) паяння(1436385)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Field Stop(1814742)
Топологія
термістор NTC(1612513) півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g
 
Модулі IGBT APTGT150A120TG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268743
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
12 992.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP4
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
150А
Струм колектора в імпульсі
350А
Потужність розсіювання
690Вт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
паяння
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Field Stop
Топологія
термістор NTC
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g