0 0 0
  7. APTGT200DU60TG

Модулі IGBT APTGT200DU60TG

 
APTGT200DU60TG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425810
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний емітер; IGBT x2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 418.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP4(1633572)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
загальний емітер(1714007) транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
200А(1441734)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) паяння(1436385)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Топологія
термістор NTC(1612513) IGBT x2(1810327)
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g
 
Модулі IGBT APTGT200DU60TG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425810
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний емітер; IGBT x2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 418.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP4
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
загальний емітер
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
200А
Струм колектора в імпульсі
400А
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
паяння
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Топологія
термістор NTC
Топологія
IGBT x2
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g