0 0 0
  7. APTGT225DU170G

Модулі IGBT APTGT225DU170G

 
APTGT225DU170G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268744
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний емітер; IGBT x2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26 930.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP6(1694451)
Зворотна напруга макс.
1,7кВ(1441074)
Структура напівпровідника
загальний емітер(1714007) транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
225А(1694450)
Струм колектора в імпульсі
450А(1595954)
Потужність розсіювання
1,25кВт(1702376)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Field Stop(1814742)
Топологія
IGBT x2(1810327)
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g
 
Модулі IGBT APTGT225DU170G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268744
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний емітер; IGBT x2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26 930.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP6
Зворотна напруга макс.
1,7кВ
Структура напівпровідника
загальний емітер
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
225А
Струм колектора в імпульсі
450А
Потужність розсіювання
1,25кВт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Field Stop
Топологія
IGBT x2
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g