0 0 0
  7. APTGTQ200A65T3G

Модулі IGBT APTGTQ200A65T3G

 
APTGTQ200A65T3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425917
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 449.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3F(1818802)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
120А(1492079)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Використання
3-фазні двигуни BLDC(1492838)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Топологія
термістор NTC(1612513) півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g
 
Модулі IGBT APTGTQ200A65T3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425917
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 449.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP3F
Зворотна напруга макс.
650В
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
120А
Струм колектора в імпульсі
400А
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Топологія
термістор NTC
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g