0 0 0
  7. APTM10DAM05TG

Транзисторні модулі MOSFET APTM10DAM05TG

 
APTM10DAM05TG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440613
Модуль; діод/транзистор; 100В; 207А; SP4; Idm: 1100А; 780Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 865.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP4(1633572)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
207А(1826032)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Потужність розсіювання
780Вт(1741885)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Напруга затвор-джерело
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513)
Струм стоку в імпульсі
1100А(1826033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTM10DAM05TG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440613
Модуль; діод/транзистор; 100В; 207А; SP4; Idm: 1100А; 780Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 865.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP4
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
207А
Опір в стані провідності
5мОм
Потужність розсіювання
780Вт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 5®
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Струм стоку в імпульсі
1100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g