0 0 0
  7. APTM20DAM08TG

Транзисторні модулі MOSFET APTM20DAM08TG

 
APTM20DAM08TG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440648
Модуль; діод/транзистор; 200В; 155А; SP4; Idm: 832А; 781Вт; Ugs: ±30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 761.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP4(1633572)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
155А(1599928)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Потужність розсіювання
781Вт(1814626)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Напруга затвор-джерело
Топологія
boost chopper(1712523) термістор NTC(1612513)
Струм стоку в імпульсі
832А(1826049)
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTM20DAM08TG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440648
Модуль; діод/транзистор; 200В; 155А; SP4; Idm: 832А; 781Вт; Ugs: ±30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 761.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP4
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
155А
Опір в стані провідності
10мОм
Потужність розсіювання
781Вт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 7®
Топологія
boost chopper
Топологія
термістор NTC
Струм стоку в імпульсі
832А
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g