Транзисторні модулі MOSFET APTM20HM08FG

 
APTM20HM08FG
 
Артикул: 440652
Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 155А; SP6C; Idm: 832А; 781Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
22 927.42 грн
3+
21 952.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP6C(1812820)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
155А(1599928)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Потужність розсіювання
781Вт(1814626)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) FREDFET(1694856)
Напруга затвор-джерело
Топологія
місток H(1612556)
Струм стоку в імпульсі
832А(1826049)
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTM20HM08FG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440652
Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 155А; SP6C; Idm: 832А; 781Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
22 927.42 грн
3+
21 952.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP6C
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
155А
Опір в стані провідності
10мОм
Потужність розсіювання
781Вт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
FREDFET
Топологія
місток H
Струм стоку в імпульсі
832А
Додаткова інформація: Маса брутто: 300 g