0 0 0
  7. APTM50H10FT3G

Транзисторні модулі MOSFET APTM50H10FT3G

 
APTM50H10FT3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440675
Модуль; транзистор/транзистор; 500В; 28А; SP3; Press-in PCB; 312Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 459.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3(1694445)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Потужність розсіювання
312Вт(1741830)
Електричний монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) FREDFET(1694856)
Напруга затвор-джерело
Топологія
місток H(1612556) термістор NTC(1612513)
Струм стоку в імпульсі
140А(1759379)
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APTM50H10FT3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440675
Модуль; транзистор/транзистор; 500В; 28А; SP3; Press-in PCB; 312Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 459.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SP3
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Потужність розсіювання
312Вт
Електричний монтаж
Press-in PCB
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
FREDFET
Топологія
місток H
Топологія
термістор NTC
Струм стоку в імпульсі
140А
Додаткова інформація: Маса брутто: 110 g