0 0 0
  7. ARF475FL

Транзистори багатоканальні ARF475FL

 
ARF475FL
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 000122
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
11 493.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
T3A-8(1695049)
Частота
128МГц(1694783)
Структура напівпровідника
спільне джерело(1694449)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
10А(1441290)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Підсилення
16дБ(1638751)
Вихідна потужність
900Вт(1629059)
Потужність розсіювання
910Вт(1742134)
ККД
55%(1820444)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Електричний монтаж
THT(1436424) конектори FASTON(1612508) паяння(1436385)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Властивості напівпровідникових елементів
dual gate(1712730)
Вид транзистора
RF(1645036)
Вид каналу
збіднений(1536799)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 100 g
 
Транзистори багатоканальні ARF475FL
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 000122
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
11 493.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
T3A-8
Частота
128МГц
Структура напівпровідника
спільне джерело
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
10А
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Підсилення
16дБ
Вихідна потужність
900Вт
Потужність розсіювання
910Вт
ККД
55%
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Електричний монтаж
THT
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
паяння
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Властивості напівпровідникових елементів
dual gate
Вид транзистора
RF
Вид каналу
збіднений
Додаткова інформація: Маса брутто: 100 g