0 0 0
  8. MSC017SMA120B4

Транзистори з каналом N THT MSC017SMA120B4

 
MSC017SMA120B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 741297
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 80А; Idm: 280А; 455Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 200.60 грн
30+
3 078.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
455Вт(1741816)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
249нКл(1713012)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
280А(1758578)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT MSC017SMA120B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 741297
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 80А; Idm: 280А; 455Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 200.60 грн
30+
3 078.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
455Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
249нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
280А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g