0 0 0
  8. MSC025SMA120B4

Транзистори з каналом N THT MSC025SMA120B4

 
MSC025SMA120B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429700
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 818.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
73А(1441561)
Опір в стані провідності
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
232нКл(1823211)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
275А(1758576)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,16 g
 
Транзистори з каналом N THT MSC025SMA120B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429700
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 818.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
73А
Опір в стані провідності
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
232нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
275А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,16 g