0 0 0
  8. MSC035SMA070B4

Транзистори з каналом N THT MSC035SMA070B4

 
MSC035SMA070B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429702
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 484.97 грн
2+
1 404.72 грн
3+
1 358.64 грн
10+
1 338.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 22 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
700В(1441588)
Струм стока
54А(1492366)
Опір в стані провідності
44мОм(1479152)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
283Вт(1779356)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
99нКл(1479393)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
192А(1758519)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g
 
Транзистори з каналом N THT MSC035SMA070B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429702
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 484.97 грн
2+
1 404.72 грн
3+
1 358.64 грн
10+
1 338.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 22 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
700В
Струм стока
54А
Опір в стані провідності
44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
283Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
99нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
192А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g