0 0 0
  8. MSC035SMA170B4

Транзистори з каналом N THT MSC035SMA170B4

 
MSC035SMA170B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 741299
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 48А; Idm: 200А; 370Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 752.24 грн
40+
2 649.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
48А(1441568)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
178нКл(1714011)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT MSC035SMA170B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 741299
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 48А; Idm: 200А; 370Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 752.24 грн
40+
2 649.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
48А
Опір в стані провідності
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
178нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g