0 0 0
  8. MSC040SMA120B4

Транзистори з каналом N THT MSC040SMA120B4

 
MSC040SMA120B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429705
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 745.57 грн
2+
1 650.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
46А(1479360)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
323Вт(1823214)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
137нКл(1633644)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
105А(1823193)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g
 
Транзистори з каналом N THT MSC040SMA120B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429705
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 745.57 грн
2+
1 650.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
46А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
323Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
137нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
105А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g