0 0 0
  8. MSC080SMA120B4

Транзисторы с каналом N THT MSC080SMA120B4

 
MSC080SMA120B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429709
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
985.21 грн
3+
931.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
26А(1441513)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
64нКл(1633539)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
90А(1797079)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g
 
Транзисторы с каналом N THT MSC080SMA120B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429709
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
985.21 грн
3+
931.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
26А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
64нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
90А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,14 g