0 0 0
  7. MSC080SMA120J

Транзисторні модулі MOSFET MSC080SMA120J

 
MSC080SMA120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440714
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 934.44 грн
2+
1 829.33 грн
3+
1 828.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
26А(1441513)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Струм стоку в імпульсі
91А(1823218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,5 g
 
Транзисторні модулі MOSFET MSC080SMA120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440714
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 26А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 934.44 грн
2+
1 829.33 грн
3+
1 828.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
26А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Потужність розсіювання
200Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Струм стоку в імпульсі
91А
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,5 g