0 0 0
  8. MSC080SMA330B4

Транзистори з каналом N THT MSC080SMA330B4

 
MSC080SMA330B4
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 606174
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 3,3кВ; 26А; Idm: 100А; 381Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
9 561.75 грн
10+
9 546.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
3,3кВ(1833099)
Струм стока
26А(1441513)
Опір в стані провідності
0,105Ом(1710956)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
381Вт(1925361)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,15 g
 
Транзистори з каналом N THT MSC080SMA330B4
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 606174
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 3,3кВ; 26А; Idm: 100А; 381Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
9 561.75 грн
10+
9 546.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
3,3кВ
Струм стока
26А
Опір в стані провідності
0,105Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
381Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
55нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,15 g