0 0 0
  7. MSC130SM120JCU3

Транзисторні модулі MOSFET MSC130SM120JCU3

 
MSC130SM120JCU3
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440718
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
9 542.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
діод SiC/транзистор(1622294)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
138А(1628536)
Опір в стані провідності
16мОм(1479178)
Потужність розсіювання
745Вт(1826061)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Топологія
гальмівний переривник(1612511)
Струм стоку в імпульсі
350А(1811067)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторні модулі MOSFET MSC130SM120JCU3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440718
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
9 542.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
діод SiC/транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
138А
Опір в стані провідності
16мОм
Потужність розсіювання
745Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Топологія
гальмівний переривник
Струм стоку в імпульсі
350А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g