Транзисторы с каналом N THT MSC360SMA120B

 
MSC360SMA120B
 
Артикул: 429712
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
632.44 грн
3+
455.26 грн
6+
430.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 63 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
(1441287)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,105 g
 
Транзисторы с каналом N THT MSC360SMA120B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429712
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
632.44 грн
3+
455.26 грн
6+
430.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 63 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
21нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,105 g