Діоди transil SMD однонаправлені MSMLJ51AE3

 
MSMLJ51AE3
 
Артикул: 213956
Діод: TVS; 3кВт; 59,7В; 36,4А; односпрямована; ±5%; DO214AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
361.97 грн
3+
319.90 грн
4+
277.83 грн
10+
262.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO214AB(1440540)
Допуск
±5%(1819321)
Зворотна напруга макс.
51В(1634209)
Структура напівпровідника
односпрямована(1440398)
Струм в імпульсі макс.
36,4А(1501652)
Напруга пробою
59,7В(1699204)
Струм витоку
2мкА(1501427)
Тип діода
transil(1440400)
Peak pulse power dissipation
3кВт(1911780)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Діоди transil SMD однонаправлені MSMLJ51AE3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 213956
Діод: TVS; 3кВт; 59,7В; 36,4А; односпрямована; ±5%; DO214AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
361.97 грн
3+
319.90 грн
4+
277.83 грн
10+
262.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
DO214AB
Допуск
±5%
Зворотна напруга макс.
51В
Структура напівпровідника
односпрямована
Струм в імпульсі макс.
36,4А
Напруга пробою
59,7В
Струм витоку
2мкА
Тип діода
transil
Peak pulse power dissipation
3кВт
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g