0 0 0
  8. LND01K1-G

Транзистори з каналом N SMD LND01K1-G

 
LND01K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 813517
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.97 грн
5+
45.25 грн
25+
39.99 грн
28+
35.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-5(1443487)
Напруга сток-джерело
9В(1962368)
Струм стока
0,33А(1740002)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,36Вт(1741851)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збіднений(1536799)
Струм стоку в імпульсі
0,6А(1709879)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD LND01K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 813517
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.97 грн
5+
45.25 грн
25+
39.99 грн
28+
35.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-5
Напруга сток-джерело
9В
Струм стока
0,33А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збіднений
Струм стоку в імпульсі
0,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g