Транзистори з каналом P SMD TP2510N8-G

 
TP2510N8-G
 
Артикул: 140993
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.46 грн
3+
90.41 грн
10+
71.09 грн
15+
69.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 409 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-1,5А(1709885)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,119 g
 
Транзистори з каналом P SMD TP2510N8-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 140993
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.46 грн
3+
90.41 грн
10+
71.09 грн
15+
69.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 409 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напруга сток-джерело
-100В
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-1,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,119 g