0 0 0
  8. TP5322N8-G

Транзистори з каналом P SMD TP5322N8-G

 
TP5322N8-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 140999
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.73 грн
3+
51.24 грн
10+
44.05 грн
23+
43.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напруга сток-джерело
-220В(1536859)
Опір в стані провідності
12Ом(1536801)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-0,7А(1709891)
Додаткова інформація: Маса брутто: 51,8 mg
 
Транзистори з каналом P SMD TP5322N8-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 140999
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.73 грн
3+
51.24 грн
10+
44.05 грн
23+
43.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напруга сток-джерело
-220В
Опір в стані провідності
12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-0,7А
Додаткова інформація: Маса брутто: 51,8 mg