0 0 0
  8. VP2110K1-G

Транзистори з каналом P SMD VP2110K1-G

 
VP2110K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141010
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.79 грн
3+
48.61 грн
10+
41.24 грн
66+
38.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Опір в стані провідності
12Ом(1536801)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,36Вт(1741851)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-0,5А(1709894)
Додаткова інформація: Маса брутто: 14,9 mg
 
Транзистори з каналом P SMD VP2110K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 141010
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.79 грн
3+
48.61 грн
10+
41.24 грн
66+
38.76 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напруга сток-джерело
-100В
Опір в стані провідності
12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-0,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 14,9 mg