0 0 0
  7. 2N7002BKS,115

Транзистори багатоканальні 2N7002BKS,115

 
2N7002BKS,115
 
NEXPERIA
Артикул: 000001
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.77 грн
25+
7.08 грн
100+
5.68 грн
182+
5.32 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1985 шт.
Строк поставки:  склад
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC88(1492436) TSSOP6(1635668)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,215А(1702203)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
445мВт(1742107)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,6нКл(1639540)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g
 
Транзистори багатоканальні 2N7002BKS,115
NEXPERIA
Артикул: 000001
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.77 грн
25+
7.08 грн
100+
5.68 грн
182+
5.32 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 1985 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC88
Корпус
TSSOP6
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,215А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
445мВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,6нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g