0 0 0
  7. 2N7002BKV,115

Транзистори багатоканальні 2N7002BKV,115

 
2N7002BKV,115
 
NEXPERIA
Артикул: 356992
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.71 грн
25+
8.22 грн
100+
7.21 грн
155+
6.44 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3565 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT666(1501443)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,24А(1717563)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,525Вт(1786523)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,6нКл(1639540)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні 2N7002BKV,115
NEXPERIA
Артикул: 356992
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.71 грн
25+
8.22 грн
100+
7.21 грн
155+
6.44 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3565 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT666
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,24А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,525Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,6нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g