0 0 0
  8. 2N7002BKVL

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002BKVL

 
2N7002BKVL
 
NEXPERIA
Артикул: 386887
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
18.89 грн
5+
13.85 грн
10+
11.72 грн
25+
9.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 12214 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,245А(1702202)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,2Вт(1449368)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,6нКл(1639540)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002BKVL
NEXPERIA
Артикул: 386887
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
18.89 грн
5+
13.85 грн
10+
11.72 грн
25+
9.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 12214 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,245А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,6нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g