0 0 0
  8. 2N7002NXAKR

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002NXAKR

 
2N7002NXAKR
 
NEXPERIA
Артикул: 478734
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,76А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.59 грн
100+
2.91 грн
250+
2.03 грн
705+
1.41 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 5
Кількість: 13335 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,12А(1644065)
Опір в стані провідності
9,2Ом(1642918)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,265Вт(1774920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,43нКл(1805071)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,76А(1794806)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002NXAKR
NEXPERIA
Артикул: 478734
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,76А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.59 грн
100+
2.91 грн
250+
2.03 грн
705+
1.41 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 5
Кількість: 13335 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,12А
Опір в стані провідності
9,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,265Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,43нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,76А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g