Транзистори з каналом P SMD BSP250,115

 
BSP250,115
 
Артикул: 622832
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3А; Idm: -12А; 1,65Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.36 грн
5+
39.20 грн
25+
29.56 грн
42+
23.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1422 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831) SC73(1801365)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,65Вт(1776563)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
DMOS(1605573)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,138 g
 
Транзистори з каналом P SMD BSP250,115
NEXPERIA
Артикул: 622832
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3А; Idm: -12А; 1,65Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.36 грн
5+
39.20 грн
25+
29.56 грн
42+
23.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1422 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Корпус
SC73
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
0,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,65Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Технологія
DMOS
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,138 g