0 0 0
  8. BUK7J1R4-40HX

Транзистори з каналом N SMD BUK7J1R4-40HX

 
BUK7J1R4-40HX
 
NEXPERIA
Артикул: 600556
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 40В; 190А; Idm: 600А; 395Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
222.24 грн
5+
200.73 грн
7+
164.89 грн
17+
155.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
190А(1479556)
Опір в стані провідності
1,4мОм(1479585)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
395Вт(1741829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
103нКл(1512596)
Технологія
Trench(1712977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
600А(1758568)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD BUK7J1R4-40HX
NEXPERIA
Артикул: 600556
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 40В; 190А; Idm: 600А; 395Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
222.24 грн
5+
200.73 грн
7+
164.89 грн
17+
155.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
190А
Опір в стані провідності
1,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
395Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
103нКл
Технологія
Trench
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
600А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g