0 0 0
  8. BUK9Y7R6-40E,115

Транзистори з каналом N SMD BUK9Y7R6-40E,115

 
BUK9Y7R6-40E,115
 
NEXPERIA
Артикул: 430931
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 315А; 95Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.52 грн
5+
61.83 грн
21+
49.53 грн
56+
46.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
56А(1479382)
Опір в стані провідності
7,6мОм(1599496)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
95Вт(1598004)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
5,5нКл(1609920)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
315А(1810506)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BUK9Y7R6-40E,115
NEXPERIA
Артикул: 430931
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 315А; 95Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.52 грн
5+
61.83 грн
21+
49.53 грн
56+
46.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
56А
Опір в стані провідності
7,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
95Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
5,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
315А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g