0 0 0
  8. GAN063-650WSAQ

Транзистори з каналом N THT GAN063-650WSAQ

 
GAN063-650WSAQ
 
NEXPERIA
Артикул: 386954
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; польовий; HEMT,каскодний; 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 349.46 грн
2+
931.13 грн
3+
880.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138) SOT429(1440944)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
24,4А(1801378)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Потужність розсіювання
143Вт(1741910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
GaN(1742486)
Вид транзистора
каскодний(1670264) HEMT(1880396)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,24 g
 
Транзистори з каналом N THT GAN063-650WSAQ
NEXPERIA
Артикул: 386954
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; польовий; HEMT,каскодний; 650В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 349.46 грн
2+
931.13 грн
3+
880.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Корпус
SOT429
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
24,4А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Потужність розсіювання
143Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нКл
Технологія
GaN
Вид транзистора
каскодний
Вид транзистора
HEMT
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,24 g