0 0 0
  8. NSF080120L3A0Q

Транзистори з каналом N THT NSF080120L3A0Q

 
NSF080120L3A0Q
 
NEXPERIA
Артикул: 965235
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 021.76 грн
2+
940.72 грн
3+
889.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
183Вт(1758557)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нКл(1479036)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-10...22В(1981580)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,236 g
 
Транзистори з каналом N THT NSF080120L3A0Q
NEXPERIA
Артикул: 965235
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 021.76 грн
2+
940.72 грн
3+
889.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
183Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-10...22В
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,236 g