Транзистори з каналом N SMD NX7002BKR

 
NX7002BKR
 
Артикул: 386918
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.66 грн
100+
2.54 грн
500+
2.29 грн
540+
1.83 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 5
Кількість: 2360 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,17А(1644068)
Опір в стані провідності
5,7Ом(1642910)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
1нКл(1609788)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
0,9А(1851127)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD NX7002BKR
NEXPERIA
Артикул: 386918
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.66 грн
100+
2.54 грн
500+
2.29 грн
540+
1.83 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 5
Кількість: 2360 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,17А
Опір в стані провідності
5,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
1нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,9А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g